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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种不等比例三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一P型轻掺杂区1和第一N型轻掺杂区3以及第二P型轻掺杂区2和第二N型轻掺杂区4；所述第一P型轻掺杂区1、第一N型轻掺杂区3、第二P型轻掺杂区2、第二N型轻掺杂区4形成一个三维PN结。本发明通过构造不等比例的三维掺杂分布，实现了高效调制，在低驱动电压下具有高带宽的优势，可实现低功耗高速数据传输，具有良好的市场应用前景。
主权项：1.一种不等比例三维掺杂硅基耗尽型电光调制器，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，其特征在于：所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一P型轻掺杂区1和第一N型轻掺杂区3以及第二P型轻掺杂区2和第二N型轻掺杂区4；所述第一P型轻掺杂区1、第一N型轻掺杂区3、第二P型轻掺杂区2、第二N型轻掺杂区4形成一个三维PN结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种不等比例三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法
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