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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种具有双栅结构的耗尽型GaNHEMT器件及其应用。该器件具有第一栅极和第二栅极，其中，第一栅极为主要栅极，用于开启或者关闭器件；第二栅极位于源极与第一栅极之间；第一栅极和第二栅极对应的阈值电压都是负值，且第二栅极对应的阈值电压的绝对值小于第一栅极对应的阈值电压的绝对值。该具有双栅结构的耗尽型GaNHEMT器件能够降低其本身及其所在电路中能流过的过电流大小，通过在功率电子电路中加入所述具有双栅结构的耗尽型GaNHEMT器件与功率器件相串联的电路结构，该耗尽型GaNHEMT器件会限制流过该电路结构的过电流大小，从而提高该功率器件的过电流保护能力。
主权项：1.一种具有双栅结构的耗尽型GaNHEMT器件，该器件具有第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极为主要栅极，用于开启或者关闭器件；所述第二栅极位于源极与第一栅极之间；所述第一栅极和第二栅极对应的阈值电压都是负值，即都为耗尽型器件的栅极，且所述第二栅极对应的阈值电压的绝对值小于第一栅极对应的阈值电压的绝对值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种具有双栅结构的耗尽型GaN HEMT器件及其应用
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