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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学

摘要：本发明涉及一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法，包括：获取外延片；在势垒层上生长第一介质层；刻蚀栅极区域的所述第一介质层至暴露所述势垒层的上表面，以形成栅极窗口；在暴露所述沟道层的所述栅极窗口内和所述势垒层上生长第二介质层；刻蚀部分区域的所述第二介质层和该第二介质层正下方的第一介质层，暴露势垒层，以形成两个有源区区域；在有源区区域内进行离子注入，以形成离子注入区域，之后进行退火处理，形成欧姆接触；在势垒层、离子注入区域和T型的第二介质层上生长第一介质层；去除T型的第二介质层，以在栅极窗口和第一介质层上制备T型的栅电极；去除有源区区域处的第一介质层，之后在离子注入区域上生长源电极和漏电极。本发明提高金了属线与半导体之间的对准精度，改善了器件制造精度，性能更加优越。

主权项：1.一种自对准T型栅的GaN高频器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1、获取外延片，所述外延片从下至上依次包括层叠的衬底层、复合缓冲层、沟道层和势垒层；步骤2、采用台面刻蚀方法将端部区域的部分所述沟道层和所述势垒层刻蚀去除，以实现台面隔离；步骤3、在所述势垒层上生长第一介质层；步骤4、刻蚀栅极区域的所述第一介质层至暴露所述势垒层的上表面，以形成栅极窗口；步骤5、在暴露所述沟道层的所述栅极窗口内和所述势垒层上生长第二介质层，所述第二介质层的耐腐蚀能力小于所述第一介质层的耐腐蚀能力；步骤6、刻蚀部分区域的所述第二介质层和该第二介质层正下方的第一介质层，暴露势垒层，以形成两个有源区区域，保留一T型的第二介质层和该T型的第二介质层下方的第一介质层；步骤7、在所述有源区区域内进行离子注入，以形成离子注入区域，之后进行退火处理，形成欧姆接触；步骤8、在所述势垒层、所述离子注入区域和所述T型的第二介质层上生长第一介质层；步骤9、去除所述T型的第二介质层，以在所述栅极窗口和所述第一介质层上制备T型的栅电极；步骤10、去除有源区区域处的第一介质层，之后在离子注入区域上生长源电极和漏电极。

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