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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开了一种具有埋栅以及复合介质栅结构的三晶体管存储器及其读出与写入方法、存算阵列，属于半导体技术领域。该三晶体管存储器在现有复合介质栅双晶体管光敏探测器的基础上增设了埋栅结构形成三晶体管结构，通过埋栅结构控制向存储器件擦写权值，并用电荷耦合原理实现电荷信息的存储和读出，继承了复合介质栅双晶体管光敏探测器小尺寸、高动态范围、强权值保持能力的特点，本申请提供的三晶体管存储器在形成阵列时可实现共写入晶体管的互联关系，形成存储阵列的同时进一步缩小了器件面积。
主权项：1.一种具有埋栅以及复合介质栅结构的三晶体管存储器，其特征在于，所述存储器由电子写入管、电子收集管和电子读出管构成，其结构由下而上包括：衬底、底层介质层和栅极结构，所述栅极结构包括由下而上包括复合介质栅、顶层介质层和第一控制栅，栅极结构之下通过浅槽隔离结构分立为共用栅极的两个电子管，分别为电子读出管和电子收集管；所述电子收集管一侧的衬底内部设置有埋栅结构，设置埋栅结构一侧的衬底内部上方设有写入漏端，埋栅结构和写入漏端构成所述电子写入管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 具有埋栅以及复合介质栅结构的三晶体管存储器及其读出与写入方法、存算阵列
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