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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司

摘要：本发明公开了一种写入与读取目标存储器单元的方法及其集成电路，用以适应在读取窗口或写入窗口中的变化，该变化是由处于每一逻辑状态中并与目标单元共享存取线的半选定单元的数目变化引起的。大致来说，在读取操作或写入操作的一个区段中的存取线上侦测漏电流，并调整在该操作的第二区段中侦测或产生的读取电流或写入电流以补偿经侦测的漏电流。若目标单元的字线地址尚未改变且经追踪的漏电流参考值尚未因其他原因而变为无效，则在后续读取操作或写入操作中可省略第一区段。

主权项：1.一种读取目标存储器单元的方法，用以自存储器单元阵列中的第一目标存储器单元读取数据，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一者在多个主要存取线中的一者与多个次要存取线中的一者之间提供电阻电流路径，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元共享所述多个主要存取线中的每一者，且所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的多于一者共享所述多个次要存取线中的每一者，所述第一目标存储器单元的主要存取线为所述多个主要存取线中的第一者且所述第一目标存储器单元的次要存取线为所述多个次要存取线中的第一者，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一特定者所提供的所述电流路径具有一电阻，所述电阻在特定单元处于第一逻辑状态中时比在所述特定单元处于第二逻辑状态中时高，其中在用以寻址所述第一目标存储器单元的读取操作期间，所述方法包括：选择所述第一目标存储器单元以在所述第一次要存取线上提供读取电流；以及根据所述读取电流，并进一步根据处于所述第一逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目以及处于所述第二逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目，来判定所述第一目标存储器单元的逻辑状态；其中，在所述读取操作的第一区段内同时进行下述步骤：将主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线，将次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线，以及将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线；以及将根据由所述读取操作的所述第一区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为参考电流值；在所述读取操作的第二区段内同时进行下述步骤：将主要存取线读取选择电压施加至所述第一主要存取线，将所述主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线而不施加至所述第一主要存取线，将所述次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线，以及将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线；将根据由所述读取操作的所述第二区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为读取电流值；以及根据所述读取电流值与所述参考电流值之间的差来判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态；其中，为与参考单元的参考阵列一起使用，各自在参考主要存取线与所述多个次要存取线中的各个一者之间提供电阻电流路径，其中将根据由所述读取操作的所述第一区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为所述参考电流值包括：在所述读取操作的所述第一区段中的施加步骤内的同时进行下述步骤：将主要存取线参考电压施加至所述参考主要存取线；以及以来自所述第一次要存取线的电流为参考电容充电，且其中将根据由所述读取操作的所述第二区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为所述读取电流值包括：在所述读取操作的所述第二区段中的所述施加步骤内的同时进行下述步骤：将所述主要存取线读取非选择电压施加至所述参考主要存取线；以及以来自所述第一次要存取线的电流为感测电容充电，且其中所述判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态的步骤包括将经充电参考电容上的电压与经充电感测电容上的电压进行比较。

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