龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种全耗尽型绝缘体上硅器件的可靠性确定方法，考虑多种因素对电流的影响，建立PN结收集电流模型，扩散电流模型，双极放大电流模型，以所有电流相加获取全耗尽型绝缘体上硅器件的单粒子瞬态电流；综合考虑PN结收集电流、扩散电流、双极放大电流以及背栅调控效应对单粒子效应的影响，获取全耗尽型绝缘体上硅器件的单粒子瞬态电流，建立出单粒子瞬态电流模型的脉冲波形与模拟仿真模型能够进行高精度拟合，得到理想的模型拟合结果。
主权项：1.一种全耗尽型绝缘体上硅器件的可靠性确定方法，其特征在于，包括：高能粒子轰击全耗尽型绝缘体上硅器件的体区，电离出电子空穴对，被所述全耗尽型绝缘体上硅器件的电极收集；根据所述全耗尽型绝缘体上硅器件中寄生的PN结收集电流的变化趋势，得到PN结等效电路，提取所述PN结收集电流随时间变化的函数，建立PN结收集电流模型；根据所述全耗尽型绝缘体上硅器件的漏极收集电子形成电子扩散电流的变化趋势，提取所述电子扩散电流随时间变化的函数，建立电子扩散电流模型；根据所述全耗尽型绝缘体上硅器件的源极收集空穴形成空穴扩散电流的变化趋势，提取所述空穴扩散电流随时间变化的函数，建立空穴扩散电流模型；根据所述PN结收集电流的变化趋势和所述空穴扩散电流的变化趋势提取双极放大电流随阈值电压变化的函数，建立双极放大电流模型；根据所述PN结收集电流模型、电子扩散电流模型、双极放大电流模型得到单粒子瞬态电流的变化趋势，建立单粒子瞬态电流模型；将所述单粒子瞬态电流模型的脉冲波形与模拟仿真模型进行对比，得到所述全耗尽型绝缘体上硅器件的可靠性判断结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种全耗尽型绝缘体上硅器件的可靠性确定方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号