龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：创世舫科技有限公司
摘要：本文描述了具有III‑N耗尽层的横向III‑N（例如，GaN）器件。一种电路包括耗尽模式晶体管，其中源极连接到增强模式晶体管的漏极。耗尽模式晶体管的栅极和增强模式晶体管的栅极被偏置在零伏，并且耗尽模式晶体管的漏极被偏置在正电压以阻挡正向方向上的电流。然后，将增强模式晶体管的栅极的偏置改变到大于增强模式晶体管的阈值电压的第一电压，并且允许第一电流在正向方向上流过沟道。然后，耗尽模式晶体管的栅极的偏置被改变到第二电压，并且允许第二电流在正向方向上流过沟道，其中第二电流大于第一电流。
主权项：1.一种操作电路的方法，所述电路包括增强模式晶体管和具有沟道的耗尽模式晶体管，其中，所述耗尽模式晶体管的源极连接到所述增强模式晶体管的漏极，所述方法包括：将所述耗尽模式晶体管的栅极和所述增强模式晶体管的栅极偏置在零伏，并且将正电压偏置到所述耗尽模式晶体管的漏极，并且在正向方向上阻断电流；将所述增强模式晶体管的所述栅极的所述偏置改变到大于所述增强模式晶体管的阈值电压的第一电压，同时所述耗尽模式晶体管的所述栅极保持偏置在零伏，使得允许第一电流在正向方向上流过所述沟道；以及将所述耗尽模式晶体管的所述栅极的所述偏置改变到第二电压，同时所述增强模式晶体管的所述栅极保持偏置在所述第一电压，使得允许第二电流在正向方向上流过所述沟道；其中，所述第二电流大于所述第一电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 创世舫科技有限公司 具有改进的导电性的包括耗尽层的N极性器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号