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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SOILDMOS器件及其制造方法。器件包括由下至上依次层叠的：衬底硅层、埋氧层和外延硅层；外延硅层中形成第一导电类型漂移区和第二导电类型体区，第一导电类型漂移区和第二导电类型体区在外延硅层中横向相邻；第一导电类型漂移区与埋氧层纵向相邻，第一导电类型漂移区与埋氧层交界处的第一导电类型漂移区中形成第一导电类型掺杂埋层；第一导电类型掺杂埋层的杂质浓度在横向上由远离第二导电类型体区的一端至靠近第二导电类型体区的一端逐渐降低；第一导电类型漂移区远离第二导电类型体区的一端形成漏极；第二导电类型体区中形成源极；栅极跨接在第一导电类型漂移区与第二导电类型体区之间。
主权项：1.一种SOILDMOS器件，其特征在于，所述SOILDMOS器件包括由下至上依次层叠的：衬底硅层、埋氧层和外延硅层；所述外延硅层中形成第一导电类型漂移区和第二导电类型体区，所述第一导电类型漂移区和第二导电类型体区在所述外延硅层中横向相邻；所述第一导电类型漂移区与所述埋氧层纵向相邻，所述第一导电类型漂移区与所述埋氧层交界处的第一导电类型漂移区中形成第一导电类型掺杂埋层；所述第一导电类型掺杂埋层的杂质浓度在横向上由远离所述第二导电类型体区的一端至靠近所述第二导电类型体区的一端逐渐降低；所述第一导电类型漂移区远离所述第二导电类型体区的一端形成漏极；所述第二导电类型体区中形成源极；栅极跨接在所述第一导电类型漂移区与所述第二导电类型体区之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 SOI LDMOS器件及其制造方法
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