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申请/专利权人：合肥工业大学
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248765A
主分类号：H01L31/109
分类号：H01L31/109;H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及一种基于WO3‑xIn2O3异质结的宽光谱自驱动光电探测器，包括WO3‑x层，在WO3‑x层上制备In2O3纳米网层，WO3‑x层和In2O3纳米网层组成WO3‑xIn2O3异质结，在In2O3纳米网层上设置顶部电极，WO3‑x层向下设置底部电极，底部电极的下方设置单面导电铜箔，单面导电铜箔上设置铜箔上电极，顶部电极和铜箔上电极之间连接外接测试电路。本发明还公开了一种基于WO3‑xIn2O3的宽光谱自驱动光电探测器的制备方法。本发明构建了WO3‑xIn2O3异质结，利用异质结界面电场快速分离光生载流子，实现了器件在紫外‑可见‑近红外三个波段下的的自驱动工作；表面具有的In2O3纳米网结构具有增强光吸收能力，提升了对入射光子的捕获能力，相比较于平面光电探测器，可以更有效的吸收部分反射光和散射光。
主权项：1.一种基于WO3-xIn2O3异质结的宽光谱自驱动光电探测器，其特征在于：包括包括WO3-x层，在WO3-x层上制备In2O3纳米网层，WO3-x层和In2O3纳米网层组成WO3-xIn2O3异质结，在In2O3纳米网层上设置顶部电极，WO3-x层向下设置底部电极，底部电极的下方设置单面导电铜箔，单面导电铜箔上设置铜箔上电极，顶部电极和铜箔上电极之间连接外接测试电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥工业大学 一种基于WO3-x/In2O3异质结的宽光谱自驱动光电探测器及制备方法
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