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偏振无关的层间光耦合器 

申请/专利权人:杭州质禾科技有限公司

申请日:2024-05-30

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118244420A

主分类号:G02B6/12

分类号:G02B6/12

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明属于光芯片技术领域,提供一种偏振无关的层间光耦合器,在水平方向且由第一波导层指向第二波导层的方向上,位于耦合区中的第一波导层宽度呈变小趋势,位于耦合区中的第二波导层宽度呈增大趋势,并且于第一波导层和第二波导层中引入缓冲波导层,或者于第一波导层和第二波导层中至少一波导层引入厚度渐变,能够同时支持横电模和横磁模的传输,且对横电模和横磁模均具有极低的层间耦合损耗。

主权项:1.一种偏振无关的层间光耦合器,其特征在于,包括:第一波导层;第二波导层,在垂直方向上,所述第二波导层位于所述第一波导层上方,在水平方向上,所述第二波导层的至少一部分位于所述第一波导层的一侧;缓冲波导层,在垂直方向上,所述缓冲波导层位于所述第一波导层与所述第二波导层之间,在垂直方向的投影上,所述第一波导层与所述缓冲波导层交叠构成第一耦合区,所述第二波导层与所述缓冲波导层交叠构成第二耦合区;其中,在水平方向且由所述第一波导层指向所述第二波导层的方向上,位于所述第一耦合区中的所述第一波导层宽度呈变小趋势,位于所述第一耦合区中的所述缓冲波导层宽度呈增大趋势,位于所述第二耦合区中的所述缓冲波导层宽度呈变小趋势,位于所述第二耦合区中的所述第二波导层宽度呈增大趋势。

全文数据:

权利要求:

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