龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248742A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L29/36;H01L29/26;H01L27/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管和显示面板，该薄膜晶体管的有源层包括至少两层层叠设置的半导体层，相邻两层半导体层的沟道区的导电类型相同，且相邻两层半导体层的半导体材料中相同元素的掺杂浓度不同，如此相邻的两层半导体层接触后会形成同型异质结构，异质结界面处的禁带宽度和导电性能与其相邻半导体层的不同，使异质结界面附近一侧电子变成自由电子的能量降低，进而使异质结界面附近的能带向下弯曲，此时能带弯曲的地方产生了一个“洼地”，电子会向这里聚集，由此形成了一个高浓度的电子区域，电子受到的施主杂质散射作用减少，从而可提高载流子的迁移率。
主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；源极，设置于所述衬底的一侧；层间绝缘层，设置于所述源极远离所述衬底的一侧，并暴露出部分所述源极；第一栅极，设置于所述层间绝缘层远离所述衬底的一侧；第一栅绝缘层，设置于所述第一栅极远离所述衬底的一侧，并覆于所述第一栅极的侧壁上；漏极，设置于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的一侧；有源层，设置于所述第一栅绝缘层远离所述第一栅极的一侧，并覆于所述漏极的侧壁、所述第一栅极绝缘层的侧壁以及所述层间绝缘层暴露出的所述源极上，所述有源层包括至少两层层叠设置的半导体层；其中，相邻两层半导体层的沟道区的导电类型相同，且相邻两层半导体层的半导体材料中相同元素的掺杂浓度不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管和显示面板
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号