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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

摘要：电压模预加重均衡电路、SerDes发射机及芯片，该电路采用电压模架构，包括：驱动电路，用于将输入信号输送到信道上；预加重电路，用于在不压缩低频分量的前提下，增强高频分量。本发明采用预加重方案，通过叠加脉冲的方式提升高频分量的绝对幅度，实现了均衡强度与输出摆幅的解耦合，使得高频分量的调整不影响输出摆幅。本发明能够解除去加重均衡中均衡强度对输出摆幅的影响，避免输出摆幅对线性度的制约，降低对尾电流的依赖以降低功耗。

主权项：1.电压模预加重均衡电路，其特征在于，所述电路采用电压模架构，包括：驱动电路，用于将输入信号输送到信道上；预加重电路，用于在不压缩低频分量的前提下，增强高频分量；所述输入信号包括第一输入信号和第二输入信号，第一输入信号和第二输入信号为差分输入信号，第一反相器I1、第二反相器I2、第一电阻R1、第二电阻R2、负载组成驱动单元，负载两端为差分输出端；第一输入信号从第一反相器I1输入，第一反相器I1与第一电阻R1的第一端连接，第一电阻R1的第二端连接负载的第一端，第二输入信号从第二反相器I2输入，第二反相器I2与第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端连接负载的第二端；第一反相器I1与第一电阻R1串联支路的输出电阻与第二反相器I2与第二电阻R2串联支路的输出电阻相等，以实现阻抗匹配；第一MOS管P1、第二MOS管P2、第三MOS管N1、第四MOS管N2、第一电流源和第二电流源组成预加重单元，第一MOS管P1的源极、第二MOS管P2的源极接第一电流源，第一MOS管P1的栅极作为控制信号的输入端，第二MOS管P2的栅极作为控制信号VPD的输入端，第一MOS管P1的漏极接负载的第二端，第二MOS管P2的漏极接负载的第一端，第三MOS管N1的源极、第四MOS管N2的源极接第二电流源，第三MOS管N1的栅极作为控制信号的输入端，第四MOS管N2的栅极作为控制信号VPU的输入端，第三MOS管N1的漏极接负载的第二端，第四MOS管N2的漏极接负载的第一端；其中控制信号VPU是由第一输入信号Vip的上升沿到来时起提取的具有一定脉宽的第一输入信号Vip的上升沿信号；控制信号VPD是由第一输入信号Vip的下降沿到来时起提取的具有一定脉宽的第一输入信号Vip的下降沿信号；控制信号和分别代表控制信号VPU和控制信号VPD的反相信号，控制信号VPU、VPD、和的脉宽均为βT，其中β是脉宽调制因子，取值范围0β≤1，T是单位码元长度，取值为数据流波特率的倒数；控制信号VPU和的产生电路，包括延迟单元、与门以及或门，第一输入信号VIP接与门的第一输入端，第二输入信号VIN经延迟单元后接与门的第二输入端，与门输出端输出的信号为控制信号VPU；第二输入信号VIN接或门的第一输入端，第一输入信号VIP经延迟单元后接或门的第二输入端，或门输出端输出的信号为控制信号控制信号VPD和的产生电路，包括延迟单元、与门以及或门，第二输入信号VIN接与门的第一输入端，第一输入信号VIP经延迟单元后接与门的第二输入端，与门输出端输出的信号为控制信号VPD；第一输入信号VIP接或门的第一输入端，第二输入信号VIN经延迟单元后接或门的第二输入端，或门输出端输出的信号为控制信号VPU、VPD、为脉宽相等的、可调的控制信号，其中VPU的上升沿与输入信号VIP的上升沿对齐，VPD的下降沿与输入信号VIP的下降沿对齐，的下降沿与输入信号VIN的下降沿对齐，的上升沿与输入信号VIN的上升沿对齐，上述信号脉宽均由延迟单元控制，在上述信号的控制下，原始输出信号VOPVON的上升沿和下降沿处分别叠加一个脉宽与控制信号相同，幅度由电流源Is和负载电阻RL控制的脉冲，达到了预加重的目的。

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