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申请/专利权人：浙江大学
申请日：2023-09-27
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN117558750B
主分类号：H01L29/45
分类号：H01L29/45;H01L21/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开
摘要：本发明提供一种适用于任意掺杂浓度的p型4H‑SiC的SiCAlTi欧姆接触电极，包括依次沉积于p型4H‑SiC基底上的第一电极层、第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％±0.5％～72％±0.5％；进一步的，所述SiCAlTi欧姆接触电极还包括沉积于所述第二电极层之上的第三电极层，所述第三电极层的材料选自金属Ni、Au、W或Mo中的任意一种或多种。本发明的p型4H‑SiC欧姆接触电极具有与现有工艺水平相当甚至更好的比接触电阻率，可以适用于所有p型4H‑SiC的电子器件。
主权项：1.一种p型4H-SiC的SiCAlTi欧姆接触电极，其特征在于，包括依次沉积于p型4H-SiC基底上的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％±0.5％～72％±0.5％，所述SiCAlTi欧姆接触电极的表面均方根粗糙度≤20nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种p型4H-SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极、其制备方法及包含该电极的半导体器件
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