龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日：2021-02-10
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113035999B
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/115;H01L31/032
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.07.13#实质审查的生效;2021.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法，掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。本发明采用掺Al氧化镓单晶，通过在氧化镓中掺杂Al提高探测器的电阻率，并将掺Al氧化镓单晶切割后得到单晶基体片，并对单晶基体片进行退火处理，通过退火处理降低掺Al氧化镓单晶中自由电子浓度，从而提高探测器的灵敏度。
主权项：1.一种掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；所述掺Al氧化镓单晶为使用导模法生长100晶面掺Al氧化镓，所述掺Al氧化镓单晶中Al的掺杂浓度为20mol％；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；所述单晶基体片为6mm×6mm×0.5mm的晶体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；所述退火处理的温度为1450℃，所述退火处理的时间为20h，所述退火处理的气氛为空气；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器；所述在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器，包括：对所述退火的单晶基体片进行抛光处理和超声处理得到超声的单晶基体片；在所述超声的单晶基体片上采用磁控溅射镀膜形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州富加镓业科技有限公司 一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号