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一种反激式AC/DC开关电源的线电压补偿电路 

申请/专利权人:苏州大学

申请日:2021-05-06

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN113014076B

主分类号:H02M1/08

分类号:H02M1/08;H02M3/335;H02M7/217

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要:本申请提供一种反激式ACDC开关电源的线电压补偿电路,包括:驱动芯片、功率管M1、电流采样电路、电阻网络电路、电流比较器A1、导通时间检测模块、补偿电路和电阻R1,电流采样电路采集流过功率管M1的电流,电阻网络电路将采样电流转换成采样电压VCS并输出到电流比较器A1的同相端;导通时间检测模块检测功率管M1的导通时间,补偿电路输出的补偿电流Icm与功率管M1的导通时间成正比,线电压越小,所述功率管M1的导通时间越长,补偿电流Icm也越大,参考电压VREF越大,使得电流比较器A1发生翻转时的采样电压VCS变大,峰值电流增大的程度越大,反之线电压越大、峰值电流增大的程度越小,经过系统延迟固定的Td时间后,在不同的线电压下控制峰值电流Ipeak相同。

主权项:1.一种反激式ACDC开关电源的线电压补偿电路,其特征在于,包括:驱动芯片、功率管M1、电流采样电路、电阻网络电路、电流比较器A1、导通时间检测模块、补偿电路和电阻R1,所述驱动芯片与功率管M1的栅极连接,电流采样电路与功率管M1的漏极连接,功率管M1的源极与地线相连接,电流采样电路的输出端与电阻网络电路的输入端连接,电阻网络电路的输出端与电流比较器A1的同相端连接,所述电流采样电路采集流过功率管M1的电流并将采样电流ID输出到电阻网络电路,电阻网络电路将采样电流转换成采样电压VCS并输出到电流比较器A1的同相端;所述导通时间检测模块检测不同线电压在一个周期内的功率管M1的导通时间,导通时间检测模块的输出端与补偿电路的输入端连接,补偿电路的输出端以及电阻R1与电流比较器A1的反相端连接,电流比较器A1的反相端还接入了偏置电压V1,电流比较器A1的输出端与驱动芯片连接,所述补偿电路输出的补偿电流Icm与所述功率管M1的导通时间成正比,通过电阻R1将补偿电流转换为补偿电压Vcm,电流比较器A1的反相端的参考电压VREF为偏置电压V1与补偿电压Vcm相加之和,线电压越小,所述功率管M1的导通时间越长,补偿电流Icm也越大,输入到电流比较器A1的反向端的参考电压VREF越大,使得电流比较器A1发生翻转时的采样电压VCS变大,峰值电流增大的程度越大,反之线电压越大、峰值电流增大的程度越小,经过系统延迟固定的Td时间后,使得在不同的线电压下控制峰值电流Ipeak相同,峰值功率恒定;所述补偿电路包括:MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、电容C2、电容C3、三极管Q1、三极管Q2和电阻R3,所述MOS管M2、MOS管M7和MOS管M11的栅极均与外部偏置Vb连接、并且源极均相互连接,MOS管M2可等效成电流源I2,MOS管M2的漏极与MOS管M3的源极连接,MOS管M3的栅极接入功率管M1导通信号Ton_p,MOS管M3的漏极与电容C2连接,MOS管M4与电容C2两端连接,MOS管M5的漏极与电容C2连接、源极与电容C3和MOS管M6的栅极连接,MOS管M3的栅极输入高电平Ton_p,MOS管M3打开使得电流源I2对电容C2充电,MOS管M5的栅极输入逻辑控制信号SW1,MOS管M4的栅极输入逻辑控制信号SW2,MOS管M3导通期间电容C2充电,MOS管M3关闭同时逻辑控制信号SW1打开,逻辑控制信号SW1控制MOS管M5导通,电容C2给电容C3充电,逻辑控制信号SW1关闭同时逻辑控制信号SW2打开,逻辑控制信号SW2控制MOS管M4导通,电容C2将电荷泄放为零、电容C2复位,电容C3上的电压V3通过MOS管M6、三极管Q1、MOS管M8和三极管Q2传递到电阻R3上,电阻R3上的电流为补偿电流Icm,并通过由MOS管M12和MOS管M13组成的电流镜输入到电流比较器A1的反相端;MOS管M6的源极与三极管Q1的发射极连接,三极管Q1的集电极与MOS管M8的源极连接,MOS管M8的栅极与漏极连接并且与三极管Q2的基极和MOS管M9的漏极连接,三极管Q2的发射极与电阻R3连接,MOS管M7复制MOS管M2的电流,MOS管M7的漏极与三极管Q1的集电极和MOS管M8的源极连接,MOS管M7的电流为I2,流过三极管Q1的电流为I3,MOS管M8的电流为I4,并且I3=I2-I4;MOS管M9的栅极与MOS管M10的栅极连接,MOS管M10的栅极与漏极连接,MOS管M10的漏极还与MOS管M11的漏极连接,MOS管M12的漏极与三极管Q2的集电极连接,MOS管M12的栅极与漏极连接,MOS管M8的电流为I4通过电流镜MOS管M9和MOS管M10复制MOS管M11的电流而来,MOS管M2与MOS管M11之间的电流比为1:M,MOS管M9与MOS管M10之间的电流比为1:1,通过控制M的值使得电容C3上的电压能够传递到电阻R3上。

全文数据:

权利要求:

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