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申请/专利权人：成都四威高科技产业园有限公司
摘要：本发明公开了一种太赫兹波导口部毛刺去除工艺，涉及太赫兹波导处理工艺技术领域，它包括上下腔组合、固定至铣床、设置铣平法兰端面的路径及参数、设置切削距离参数、设置切削路径、设置切削参数、启动铣刀铣平及切削、清理检查、二次处理9个步骤。使用铣床对太赫兹波导口边缘的毛刺进行去除，针对太赫兹波导自身特性及波导口的特殊性能要求，设计铣刀专有的切削距离和路径，保证波导口的毛刺最大程度的去除，还不会使毛刺内翻至波导口内。铣床的机械方式，不同于手工去毛刺的方式，防止波导口受人为因素影响导致刮伤的情况；也不同于电化学去毛刺的方式，防止波导口边缘被腐蚀；也不需要购买专门的设备，成本相对较低。
主权项：1.一种太赫兹波导口部毛刺去除工艺，太赫兹波导包括上腔、下腔，两者组合后的端部为完整的法兰，其特征在于，毛刺去除工艺包括以下步骤：S1、将太赫兹波导固定在铣床上，使铣刀正对波导口；S2、设置铣刀与太赫兹波导距离，保证铣刀中心与波导口的边距保持0.1~0.3mm距离；S3、设置铣刀切削路径，以波导口靠近中心位置为起点，从该起点横向向外移动至靠近波导口内边缘处，即毛刺位置，再沿波导口内边缘逆时针切削一圈后横向向内移动至靠近波导口中心位置，以该位置为终点；S4、设置铣刀切削参数；所述铣刀切削参数为：转速S=6000~7000rmin，进给F=200~260mmmin，切深ap=0.003~0.005mm；S5、启动铣刀开始切削，切削完成后，取下太赫兹波导；所述步骤S1前还包括步骤：对上腔和下腔进行开粗，经热处理使时效应力释放完全后，进行精加工，将上腔和下腔两者的法兰端面部分预留0.05~0.1mm的余量，用于铣平；组合上腔和下腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都四威高科技产业园有限公司 太赫兹波导口部毛刺去除工艺
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