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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2020-04-23
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN111863062B
主分类号：G11C11/406
分类号：G11C11/406
优先权：["20190426 US 16/396,132"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2020.11.17#实质审查的生效;2020.10.30#公开
摘要：本申请案涉及用于减少行锤击刷新的方法及设备。可基于行地址的位例如最低有效位将存储器装置分段成若干区域使得连续字线属于不同区域。存储器装置可起始对应于第一字线的第一行存储器单元的刷新操作。所述存储器装置可确定所述第一行是行锤击攻击的侵略者行，且可确定与第二字线相关联的邻近行作为可能需要刷新例如，以抵消归因于行锤击攻击的潜在数据损坏的受害者行。存储器裸片可基于所述受害者行是否属于被掩蔽的区域确定是否对所述受害者行执行行锤击刷新操作。
主权项：1.一种减少行锤击刷新的方法，其包括：识别由用于第一刷新操作的命令指示的第一字线；至少部分基于识别所述第一字线识别与邻近所述第一字线的第二字线相关联的掩蔽区域；至少部分基于识别所述掩蔽区域确定与所述掩蔽区域相关联的掩码指示符，其中所述掩码指示符指示数据是否存储于所述掩蔽区域中；及至少部分基于确定所述掩码指示符对与所述第二字线耦合的存储器单元执行第二刷新操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于减少行锤击刷新的方法及设备
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