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一种存储芯片及其刷新控制方法 

申请/专利权人:西安紫光国芯半导体有限公司

申请日:2022-12-22

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118248188A

主分类号:G11C11/406

分类号:G11C11/406

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本申请公开了一种存储芯片及其刷新控制方法,该存储芯片包括:存储阵列、目标耗电电路以及集中刷新控制电路。集中刷新控制电路分别与存储阵列以及目标耗电电路连接。集中刷新控制电路用于响应于接收到的低功耗模式触发指令,分批对存储阵列的待刷新行进行集中刷新,并控制目标耗电电路在相邻两批集中刷新之间的等待时间内处于关闭状态,其中,至少一批集中刷新的刷新行数大于或等于2,等待时间大于同一批集中刷新的刷新间隔时间,有利于降低芯片在低功耗模式下的功耗。

主权项:1.一种存储芯片,其特征在于,包括:存储阵列、目标耗电电路以及集中刷新控制电路,所述集中刷新控制电路分别与所述存储阵列以及所述目标耗电电路连接;所述集中刷新控制电路用于响应于接收到的低功耗模式触发指令,分批对所述存储阵列的待刷新行进行集中刷新,并控制所述目标耗电电路在相邻两批集中刷新之间的等待时间内处于关闭状态,其中,至少一批集中刷新的刷新行数大于或等于2,所述等待时间大于同一批集中刷新的刷新间隔时间。

全文数据:

权利要求:

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