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申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日：2024-02-04
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN117713741B
主分类号：H03H9/25
分类号：H03H9/25;H03H9/145;H03H9/10;H03H9/02;H03H9/64;H03H3/08
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开
摘要：本申请涉及半导体器件技术领域，公开一种薄膜表面声波滤波器及其制作方法。其中，薄膜表面声波滤波器包括基板、IDT电极、焊盘金属层、保护层、支撑部、覆盖部和通孔。基板包括压电层和承载衬底。IDT电极设置于压电层的上方。焊盘金属层设置于承载衬底的上方，且与IDT电极电连接。保护层设置于承载衬底的上方。保护层覆盖于压电层和IDT电极并暴露焊盘金属层。支撑部设置于保护层，并暴露分别与IDT电极和焊盘金属层对应的区域。覆盖部设置于支撑部，且横跨IDT电极上方区域以与支撑部围合形成空腔；通孔通过暴露覆盖部与焊盘金属层对应的区域形成。本申请实现了薄膜表面声波滤波器的小型化、低成本化。
主权项：1.一种薄膜表面声波滤波器，其特征在于，包括：基板，包括压电层和设置于压电层的下方的承载衬底；IDT电极，设置于压电层的上方；焊盘金属层，设置于承载衬底的上方，且与IDT电极电连接；保护层，设置于承载衬底的上方，且保护层覆盖于压电层和IDT电极并暴露焊盘金属层；支撑部，设置于保护层，并暴露分别与IDT电极和焊盘金属层在垂直方向上对应的区域；覆盖部，设置于支撑部，且横跨IDT电极上方区域以与支撑部围合形成空腔；通孔，暴露覆盖部与焊盘金属层在垂直方向上对应的区域形成；其中，承载衬底包括从下至上层叠设置的基底层、缓冲层和补偿层；获取基板的方式，包括：提供压电基板；在压电基板的下表面沉积补偿层；在补偿层的下表面沉积缓冲层；将基底层与缓冲层的下表面键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳新声半导体有限公司 薄膜表面声波滤波器及其制作方法
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