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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日：2024-04-22
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118264220A
主分类号：H03H9/56
分类号：H03H9/56;H03H9/58;H03H3/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种BAW滤波器及其制作方法。所述BAW滤波器的制作方法包括：提供衬底，衬底上方包括有效谐振区和非有效谐振区；在衬底上形成第一电极，第一电极覆盖有效谐振区；在衬底上形成压电层，压电层覆盖第一电极以及衬底；对非有效谐振区内的压电层进行非晶化处理，使得压电层分为位于有效谐振区内的多晶部以及位于非有效谐振区内的非晶部；在压电层上形成第二电极，第二电极覆盖多晶部且从多晶部的上方延伸覆盖部分非晶部。如此可以避免在谐振器的非有效谐振区内产生寄生谐振体以及发生非必要的谐振，降低滤波器的整体声学损失，提高滤波器的Q值。所述BAW滤波器可以利用上述的BAW滤波器的制作方法制成。
主权项：1.一种BAW滤波器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上方包括有效谐振区和位于所述有效谐振区侧边的非有效谐振区；在所述衬底上形成第一电极，所述第一电极覆盖所述有效谐振区；在所述衬底上形成压电层，所述压电层覆盖所述第一电极以及所述衬底，所述压电层为多晶结构；对所述非有效谐振区内的所述压电层进行非晶化处理，使得所述压电层分为位于所述有效谐振区内的多晶部以及位于所述非有效谐振区内的非晶部，所述多晶部保持为多晶结构，所述非晶部为非晶结构；以及在所述压电层上形成第二电极，所述第二电极覆盖所述多晶部且从所述多晶部的上方延伸覆盖部分所述非晶部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 BAW滤波器及其制作方法
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