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申请/专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118264219A
主分类号：H03H9/54
分类号：H03H9/54;H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种滤波器及其制备方法，涉及通信设备技术领域，本申请的滤波器的制备方法，包括在衬底上形成多个连接的谐振单元并在多个谐振单元上形成质量负载层；向下以第一预设厚度刻蚀部分谐振单元上的质量负载层，以将谐振单元划分为刻蚀第一预设厚度的第一类谐振单元和未刻蚀第一预设厚度的第二类谐振单元；向下以第二预设厚度刻蚀部分第一类谐振单元和部分第二类谐振单元，以将第一类谐振单元划分为第三类谐振单元和第四类谐振单元，将第二类谐振单元划分为第五类谐振单元和第六类谐振单元；图案化上电极层形成上电极并引出下电极以使形成滤波器。本申请提供的滤波器及其制备方法，能够减小压电层的过刻量，从而提高谐振器的性能。
主权项：1.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成多个连接的谐振单元并在多个所述谐振单元上形成质量负载层，其中，所述谐振单元包括下电极、压电层和上电极层；向下以第一预设厚度刻蚀部分所述谐振单元上的所述质量负载层，以将所述谐振单元划分为刻蚀第一预设厚度的第一类谐振单元和未刻蚀第一预设厚度的第二类谐振单元；向下以第二预设厚度刻蚀部分所述第一类谐振单元和部分所述第二类谐振单元，以将所述第一类谐振单元划分为刻蚀第二预设厚度的第三类谐振单元和未刻蚀第二预设厚度的第四类谐振单元，将所述第二类谐振单元划分为刻蚀第二预设厚度的第五类谐振单元和未刻蚀第二预设厚度的第六类谐振单元；以此在每类所述谐振单元上形成不同厚度的质量负载；图案化所述上电极层形成上电极并引出下电极以使形成滤波器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉敏声新技术有限公司 一种滤波器及其制备方法
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