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申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日：2024-02-06
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN117749125B
主分类号：H03H9/56
分类号：H03H9/56;H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/58
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.14#授权;2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开
摘要：本发明提出了一种D‑BAW空气环结构及其形成方法。所述D‑BAW空气环结构包括下电极以及下电极与围栏层形成的体声波空腔内的下电极一端设置有第一空气环结构，以及，在上电极的一端设置第二空气环结构。所述D‑BAW空气环结构还包括基底、压电层、下电极、压电层和上钝化层；所述基底的一侧表面上布设有围栏层；所述围栏层的凹槽与所述压电层形成的体声波空腔内设置有下电极，并且，下电极布设于压电层靠近围栏层一侧的表面上；所述下电极远离压电层的一侧表面上布设有压电层；所述压电层的远离围栏层一侧的表面上布设有上电极；在所述上电极的远离压电层）的一侧表面上布设有上钝化层。
主权项：1.一种D-BAW空气环结构，其特征在于，所述D-BAW空气环结构包括下电极14以及下电极14与围栏层17形成的体声波空腔8内的下电极14一端设置有第一空气环结构，以及，在上电极12的一端设置第二空气环结构；其中，所述D-BAW空气环结构还包括基底1、压电层13、下电极14、压电层13和上钝化层11；所述基底1的一侧表面上布设有围栏层17；所述围栏层17的凹槽与所述压电层13形成的体声波空腔8内设置有下电极14，并且，下电极14布设于压电层13靠近围栏层17一侧的表面上；所述下电极14远离压电层13的一侧表面上布设有压电层13；所述压电层13的远离围栏层17一侧的表面上布设有上电极12；在所述上电极12的远离压电层13的一侧表面上布设有上钝化层11。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳新声半导体有限公司 一种D-BAW空气环结构及其形成方法
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