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申请/专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299363A
主分类号：H01L23/538
分类号：H01L23/538;H01L21/768
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及一种封装结构及其形成方法、半导体结构。所述封装结构包括：第一基板；第二基板，位于所述第一基板上方；封装体，位于所述第一基板与所述第二基板之间，所述封装体包括半导体芯片、功能器件以及位于所述半导体芯片至少一侧的多个第一互联结构，所述第一互联结构电连接所述第一基板与所述第二基板，位于所述半导体芯片同侧的多个所述第一互联结构间隔排布，所述功能器件位于相邻的所述第一互联结构之间的间隙区域内。本发明避免了封装结构在制造过程中出现翘曲等形变，提高了封装结构的集成度。
主权项：1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一基板；第二基板，位于所述第一基板上方；封装体，位于所述第一基板与所述第二基板之间，所述封装体包括半导体芯片、功能器件以及位于所述半导体芯片至少一侧的多个第一互联结构，所述第一互联结构电连接所述第一基板与所述第二基板，位于所述半导体芯片同侧的多个所述第一互联结构间隔排布，所述功能器件位于相邻的所述第一互联结构之间的间隙区域内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏长电科技股份有限公司 封装结构及其形成方法、半导体结构
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