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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；多个导电结构，多个所述导电结构间隔设置于所述衬底上；多个隔离结构，所述隔离结构设置于相邻的所述导电结构之间；阻挡层，所述阻挡层设置于所述导电结构上；所述隔离结构高于所述阻挡层。本公开减少半导体结构内部的漏电问题，改善了半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；多个导电结构，多个所述导电结构间隔设置于所述衬底上；多个隔离结构，所述隔离结构设置于相邻的所述导电结构之间；阻挡层，所述阻挡层设置于所述导电结构上；所述隔离结构高于所述阻挡层。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
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