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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：实施例包括用于形成集成电路封装件的方法。在晶圆上方沉积第一介电层，第一介电层与晶圆的封装区域和划线区域重叠。形成沿第一介电层延伸并且延伸穿过第一介电层的第一金属化图案。在第一金属化图案和第一介电层上方沉积第二介电层，第二介电层与封装区域和划线区域重叠。从划线区域去除第二介电层，第二介电层保留在封装区域中。在从划线区域去除第二介电层之后，形成沿第二介电层延伸并且延伸穿过第二介电层的第二金属化图案。在划线区域中锯切晶圆和第一介电层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：中介层，包括衬底通孔；再分布结构，包括：第一介电层，位于所述中介层上方，所述第一介电层在截面图中在所述第一介电层的第一侧壁之间具有第一宽度；第一金属化图案，沿所述第一介电层延伸并且延伸穿过所述第一介电层，所述第一金属化图案包括再分布线和密封环，所述再分布线接触所述衬底通孔，所述密封环在顶视图中在所述再分布线周围延伸，所述密封环与所述再分布线电隔离；以及第二介电层，位于所述第一金属化图案和所述第一介电层上方，所述第二介电层覆盖所述密封环的顶面，所述第二介电层在所述截面图中在所述第二介电层的第二侧壁之间具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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