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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-04-02
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113380829B
主分类号：H10B51/30
分类号：H10B51/30;H10B51/20
优先权：["20200528 US 63/031,114","20200615 US 63/038,964","20201224 US 17/133,964"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.09.28#实质审查的生效;2021.09.10#公开
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：一对介电层；以及介电层之间的字线，介电层的侧壁从字线的侧壁凹进；在字线的顶面、字线的侧壁、字线的底面和介电层的侧壁上的隧道带；隧道带上的半导体带；与半导体带的侧壁接触的位线；与半导体带的侧壁接触的源极线。本申请的实施例提供了存储器件及其形成方法。
主权项：1.一种形成存储器件的方法，包括：在一对介电层之间形成字线；相比于所述字线的侧壁，凹进所述介电层的侧壁以暴露所述字线的顶面和底面；在所述介电层的侧壁以及所述字线的所述顶面、所述底面和所述侧壁上形成隧道带；在所述隧道带上形成半导体带；以及形成接触所述半导体带的位线和源极线，其中，所述字线与所述位线和所述源极线交叉。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器件及其形成方法
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