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申请/专利权人：新存科技(武汉)有限责任公司
摘要：本申请提供了一种存储器的制作方法、存储器及存储系统，存储器的制作方法包括：形成堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向层叠形成的第一电极层、选择开关层及第二电极层；在堆叠结构上形成间隔槽，间隔槽沿第一方向贯穿堆叠结构；在堆叠结构上形成覆盖间隔槽的侧壁的阻挡层；采用溶液处理阻挡层暴露的表面，去除阻挡层表面的硅氢键；形成填充间隔槽的绝缘层，且绝缘层覆盖阻挡层。本申请提供的存储器的制作方法能够更有效的去除阻挡层表面的硅氢键，有利于保护选通开关层，提升存储器性能。
主权项：1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向层叠形成的第一电极层、选择开关层及第二电极层；在所述堆叠结构上形成间隔槽，所述间隔槽沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构；在所述堆叠结构上形成覆盖所述间隔槽的侧壁的阻挡层；采用溶液处理所述阻挡层暴露的表面，去除所述阻挡层表面的硅氢键；在所述间隔槽内填充绝缘层，且所述绝缘层覆盖所述阻挡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 存储器的制作方法、存储器及存储系统
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