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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请涉及一种存储器结构及其制备方法，其中存储器结构的制备方法包括：提供基底，基底包括底层衬底、第一介质层以及第一衬底层，第一介质层位于底层衬底与第一衬底层之间；基于第一衬底层形成第一电路结构；将基底翻转，使得第一介质层处于第一电路结构上方；于第一介质层上方形成第二电路结构；形成连接第一电路结构与第二电路结构的导电结构。本申请实施例可以有效提高集成电路的集成度。
主权项：1.一种存储器结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括底层衬底、第一介质层以及第一衬底层，所述第一介质层位于所述底层衬底与所述第一衬底层之间；基于所述第一衬底层形成第一电路结构；将所述基底翻转，使得所述第一介质层处于所述第一电路结构上方；于所述第一介质层上方形成第二电路结构；形成连接所述第一电路结构与所述第二电路结构的导电结构。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器结构及其制备方法
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