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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统及电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该三维存储器包括堆叠结构、刻蚀停止层、保护层和多个连接柱，堆叠结构包括交替设置的栅极层和介质层；堆叠结构包括多级台阶；刻蚀停止层设置于台阶上；保护层覆盖堆叠结构和刻蚀停止层；连接柱贯穿保护层及对应的台阶上的刻蚀停止层，与对应的台阶的栅极层电连接。
主权项：一种三维存储器，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交替设置的栅极层和介质层；所述堆叠结构包括多级台阶；刻蚀停止层，设置于所述多级台阶上；保护层，覆盖所述堆叠结构和所述刻蚀停止层；和多个连接柱，每一所述连接柱贯穿所述保护层及对应的台阶上的所述刻蚀停止层，与对应的台阶的栅极层连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制备方法、存储系统及电子设备
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