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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。该制备方法包括：自堆叠结构的第一侧、形成沿第一方向贯穿堆叠结构的沟道结构；在堆叠结构的第二侧形成底部选择叠层结构；自底部选择叠层结构远离堆叠结构的一侧、形成沿第一方向贯穿底部选择叠层结构的底部选择沟道结构。该半导体器件包括：堆叠结构；沟道结构；底部选择叠层结构，位于堆叠结构的一侧；底部选择沟道结构，沿第一方向贯穿底部选择叠层结构；在垂直于第一方向的平面上、沟道结构靠近底部选择叠层结构的第二端的投影面积小于其远离底部选择叠层结构的第一端的投影面积，底部选择沟道结构靠近沟道结构的第一端的投影面积小于其远离沟道结构的第二端的投影面积。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：自堆叠结构的第一侧、形成沿第一方向贯穿所述堆叠结构的沟道结构；在所述堆叠结构的第二侧形成底部选择叠层结构；以及自所述底部选择叠层结构远离所述堆叠结构的一侧、形成沿所述第一方向贯穿所述底部选择叠层结构的底部选择沟道结构，所述底部选择沟道结构与所述沟道结构电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制备方法、存储系统
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