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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请提供一种半导体器件、制备方法及存储系统，半导体器件包括叠层结构和顶部选择堆叠结构。叠层结构包括沟道结构和沟道插塞，其中沟道结构包括沿沟道结构的径向由内向外依次设置的填充层以及围绕填充层的第一沟道层，沟道插塞设置在填充层上，并与第一沟道层连接；顶部选择堆叠结构设置于叠层结构上，并包括具有第二沟道层的顶部电连接结构，其中第二沟道层包括彼此相连的第一部和第二部，第一部沿堆叠方向贯穿顶部选择堆叠结构，第二部沿与堆叠方向交叉的方向延伸至沟道结构中，并与沟道插塞和第一沟道层连接，其中，在垂直于堆叠方向的平面中，第一部靠近第二部的底端的径向尺寸D1、第二部的径向尺寸D2满足：D1＜D2。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：叠层结构，包括沟道结构和沟道插塞，其中所述沟道结构包括沿所述沟道结构的径向由内向外依次设置的填充层以及围绕所述填充层的第一沟道层，所述沟道插塞设置在所述填充层上，并与所述第一沟道层连接；顶部选择堆叠结构，设置于所述叠层结构上，并包括具有第二沟道层的顶部电连接结构，其中所述第二沟道层包括彼此相连的第一部和第二部，所述第一部沿堆叠方向贯穿所述顶部选择堆叠结构，所述第二部沿与所述堆叠方向交叉的方向延伸至所述沟道结构中，并与所述沟道插塞和所述第一沟道层连接，其中，在垂直于所述堆叠方向的平面中，所述第一部靠近所述第二部的底端的径向尺寸D1、所述第二部的径向尺寸的径向尺寸D2满足：D1＜D2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制备方法、存储系统
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