龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2023-01-05
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299281A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L23/544;H01L27/146
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括芯片区和位于芯片区之间的切割道区，所述芯片区表面具有第一测试结构；在所述切割道区形成对准标记和第二测试结构；在晶圆上形成滤光结构材料层；刻蚀所述滤光结构材料层，直至暴露出第一测试结构表面和第二测试结构表面，形成滤光结构；获取所述第二测试结构的电阻值；根据所述电阻值判断所述第一测试结构表面和第二测试结构表面是否有反应残留物；若所述第一测试结构表面和第二测试结构表面有反应残留物，则去除所述反应残留物。所述方法使得半导体结构的良率提升。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括芯片区和位于芯片区之间的切割道区，所述芯片区表面具有第一测试结构；在所述切割道区形成对准标记和第二测试结构；在晶圆上形成滤光结构材料层；刻蚀所述滤光结构材料层，直至暴露出第一测试结构表面和第二测试结构表面，形成滤光结构；获取所述第二测试结构的电阻值；根据所述电阻值判断所述第一测试结构表面和第二测试结构表面是否有反应残留物；若所述第一测试结构表面和第二测试结构表面有反应残留物，则去除所述反应残留物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号