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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-01-22
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113314419B
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423
优先权：["20200226 US 62/981,749","20200717 US 16/932,268"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.09.14#实质审查的生效;2021.08.27#公开
摘要：在实施例中，一种器件包括：介电鳍，位于衬底上；低维层，位于介电鳍上，该低维层包括源极漏极区域和沟道区域；源极漏极接触件，位于源极漏极区域上；以及栅极结构，位于邻近源极漏极接触件的沟道区域上，该栅极结构在栅极结构的顶部处具有第一宽度，在栅极结构的中间处具有第二宽度，并且在栅极结构的底部处具有第三宽度，第二宽度小于第一宽度和第三宽度中的每个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成介电鳍；在所述介电鳍上形成低维层；在所述低维层上形成第一源极漏极接触件和第二源极漏极接触件；在所述第一源极漏极接触件和所述第二源极漏极接触件上分别生长第一自组装间隔件和第二自组装间隔件，所述低维层的沟道区域设置在所述第一自组装间隔件和所述第二自组装间隔件之间；在所述沟道区域上形成栅极结构；以及在形成所述栅极结构之后，去除所述第一自组装间隔件和所述第二自组装间隔件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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