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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，具有彼此间隔开的第一区域和第二区域；多个第一栅极结构，设置在所述第一区域中，在第一水平方向上彼此间隔开，在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有第一宽度；多个第二栅极结构，设置在所述第二区域中，在所述第一水平方向上彼此间隔开，在所述第二水平方向上延伸，并且具有大于所述第一宽度的第二宽度；多个单扩散中断，布置在所述多个第一栅极结构之间并且在所述第二水平方向上延伸；以及多个虚设扩散中断，布置在所述第一区域与所述第二区域之间，在所述第二水平方向上延伸，并且包括与所述单扩散中断相同的材料。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有彼此间隔开的第一区域和第二区域；多个第一栅极结构，所述多个第一栅极结构设置在所述第一区域中，在第一水平方向上彼此间隔开，在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有第一宽度；多个第二栅极结构，所述多个第二栅极结构设置在所述第二区域中，在所述第一水平方向上彼此间隔开，在所述第二水平方向上延伸，并且具有大于所述第一宽度的第二宽度；多个单扩散中断，所述多个单扩散中断布置在所述多个第一栅极结构之间并且在所述第二水平方向上延伸；以及多个虚设扩散中断，所述多个虚设扩散中断布置在所述第一区域与所述第二区域之间，在所述第二水平方向上延伸，并且包括与所述单扩散中断相同的材料。
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