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申请/专利权人：重庆奕能科技有限公司
摘要：本申请提供了一种半导体器件，包括阵列排布的多个晶体管单元，每个晶体管单元包括半导体层与沟槽栅极结构，半导体层具有相对的第一表面和第二表面，其中，多个晶体管单元被划分为多个第一晶体管单元和多个第二晶体管单元，每个第二晶体管单元还包括：肖特基接触区，位于该第二晶体管单元的沟槽栅极结构的第二延伸方向上，且与该第二晶体管单元的沟槽栅极结构之间相距第一预定距离，第一延伸方向与第二延伸方向相互垂直且平行于第一表面。本申请的半导体器件，通过在第二晶体管单元中使用肖特基接触区，可以更好的提高单位面积的前向电流驱动能力，从而提高器件的效率。
主权项：1.一种半导体器件，包括阵列排布的多个晶体管单元，每个所述晶体管单元包括半导体层与沟槽栅极结构，所述半导体层具有相对的第一表面和第二表面，所述沟槽栅极结构的至少部分位于从所述半导体层的所述第一表面向第二表面延伸的沟槽中，所述半导体层包括：源区，自所述第一表面向所述第二表面延伸，且在所述沟槽栅极结构的第一延伸方向上与所述沟槽栅极结构的第一侧壁邻接；漂移区和体区，至少部分所述漂移区位于所述体区和所述半导体层的第二表面之间，所述体区的第一部分位于所述源区和所述漂移区之间；其中，所述多个晶体管单元被划分为多个第一晶体管单元和多个第二晶体管单元，每个所述第二晶体管单元还包括：肖特基接触区，位于该第二晶体管单元的所述沟槽栅极结构的第二延伸方向上，且与该第二晶体管单元的所述沟槽栅极结构之间相距第一预定距离，所述第一延伸方向与所述第二延伸方向相互垂直且平行于所述第一表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆奕能科技有限公司 半导体器件
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