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晶体管、其制备方法及电子装置 

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申请/专利权人:深圳平湖实验室

摘要:本公开实施例提供的晶体管、其制备方法及电子装置,包括衬底;势垒层,位于衬底的一侧;第一钝化层,位于势垒层远离衬底的一侧,第一钝化层包括第一过孔,第一过孔位于栅极区;p型重掺杂层,位于势垒层远离衬底的一侧,p型重掺杂层嵌入第一过孔。可以改善甚至解决刻蚀损伤导致的p型栅结构HEMT性能退化问题,如电流崩塌效应、动态电阻退化及器件可靠性差;同时可以阻止Mg元素扩散到栅极区之外的势垒层,避免栅极区之外势垒层沟道层界面处二维电子气浓度下降,导致晶体管导通电阻偏高,可靠性下降的问题。

主权项:1.一种晶体管,其特征在于,包括:衬底;势垒层,位于所述衬底的一侧;第一钝化层,位于所述势垒层远离所述衬底的一侧,所述第一钝化层包括位于栅极区的第一过孔;p型重掺杂层,位于所述势垒层远离所述衬底的一侧,且所述p型重掺杂层嵌入所述第一过孔。

全文数据:

权利要求:

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