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申请/专利权人：稳懋半导体股份有限公司

摘要：一种门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，包括一化合物半导体基板及形成于其上的一外延结构。该外延结构依序包括一缓冲层、一通道层、一肖特基层和一第一覆盖层。该肖特基层从下到上包括至少两个半导体材料的层叠区域，其中两相邻层叠区域之每一者与另一者之材料不同，且两者之间设有一层叠区域结。在该肖特基层任两相邻层叠区域中，由AlGaAs为基底的半导体材料构成的层叠区域与由InGaP为基底的半导体材料构成的另一层叠区域交替层叠。一门极沉降区域位于一门极电极的一第一门极金属层下方，且该门极沉降区域之底边界位于该肖特基层层叠区域其中一结层。

主权项：1.一种门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：一化合物半导体基板；一外延结构，其形成于该化合物半导体基板上，该外延结构包括：一缓冲层，形成于该化合物半导体基板上，一通道层，形成于该缓冲层上，一肖特基层，形成于该通道层上，其中该肖特基层包括一第一半导体材料层叠区域及形成于该第一半导体材料层叠区域上的一第二半导体材料层叠区域，其中该第一半导体材料层叠区域和该第二半导体材料层叠区域之材料彼此不同，且两者之间具有一层叠区域结，其中该第一半导体材料层叠区域是由AlGaAs为基底的半导体材料构成且该第二半导体材料层叠区域是由InGaP为基底的半导体材料构成，及一第一覆盖层，形成于该肖特基层上；一源极电极，形成于该第一覆盖层之一端；一漏极电极，形成于该第一覆盖层之另一端，其中一门极凹槽位于该源极电极和该漏极电极之间；及一门极电极，其包括一第一门极金属层，该门极电极的该第一门极金属层形成于该门极凹槽内的该肖特基层上，其中一门极沉降区域位于该门极电极的下方，其中该AlGaAs为基底的半导体材料为AlGaAsP和InAlGaAs中之一，而该InGaP为基底的半导体材料为InGaP，该门极沉降区域之一底边界位于该第一半导体材料层叠区域之该AlGaAs为基底的半导体材料中，且该门极沉降区域之该底边界与该层叠区域结垂直间隔开且位于该层叠区域结下方之内，或其中该AlGaAs为基底的半导体材料为AlGaAs，而该InGaP为基底的半导体材料为InGaPAs和AlInGaP中之一，该门极沉降区域之一底边界位于该第二半导体材料层叠区域之该InGaP为基底的半导体材料中，且该门极沉降区域之该底边界与该层叠区域结垂直间隔开且位于该层叠区域结上方之内。

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