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申请/专利权人：日月新半导体(昆山)有限公司
摘要：本发明公开了混晶层形成技术领域的一种集成电路利用磊晶原理形成混晶层的方法，包括如下步骤：S1、晶粒聚结及暂停；S2、Au薄膜填补；S3、TiW层二次沉积；S4、共晶层形成；S5、电镀凸块。本发明通过在TiW层沉积过程中引入Au薄膜填补缝隙的步骤，增加了TiW和Au之间的共晶层面积，从而显著提高了薄膜间的粘附力，由于共晶层的增强，Bump的机械剪切强度得到提升，在Shear剪切力测试中表现出更好的性能，减少了TiW层漏出和Bump脱落的风险，通过形成更稳定的共晶层，集成电路的整体可靠性得到显著提高，确保了在实际使用中的耐用性和稳定性，改进后的混晶层形成方法能够提升集成电路的性能，尤其是在需要高可靠性和机械强度的应用场景中。
主权项：1.一种集成电路利用磊晶原理形成混晶层的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、晶粒聚结及暂停：将晶圆放入TiW腔室中，在腔室内对晶圆进行TiW薄膜层的物理气相沉积，监控TiW层的沉积过程，直至晶粒开始聚结，形成连续的薄膜，当晶粒聚结达到一定阶段，表面出现缝隙和凹坑时，暂停沉积过程，此时TiW层表面有很多缝隙及凹坑；S2、Au薄膜填补：将晶圆从TiW腔室转移到Au腔室，在Au腔室内对晶圆进行Au薄膜的物理气相沉积，通过沉积的Au薄膜填补TiW层表面的缝隙和凹坑，增强其表面平整度；S3、TiW层二次沉积：将晶圆再次送回TiW腔室进行TiW薄膜的二次沉积，继续沉积TiW薄膜，直至达到工艺要求的厚度，监控沉积过程，确保TiW层的均匀性和完整性，达到所需厚度后暂停沉积；S4、共晶层形成：在TiW层表面再次进行Au薄膜的沉积，当Au薄膜达到工艺规定的厚度后停止沉积，通过在TiW层上沉积Au薄膜，形成TiW和Au的共晶层，这增强了材料间的结合力，共晶层的形成是为了提高集成电路结构稳定性和可靠性；S5、电镀凸块：在UBM层完全成长好后，通过电镀工艺在UBM层上生长出金凸块。
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