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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2021-04-23
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN115241132B
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2022.11.11#实质审查的生效;2022.10.25#公开
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底以及位于所述基底上表面的介质层；图形化所述介质层以及所述基底，以形成多个沟槽，多个所述沟槽相互分立的位于所述核心区以及所述伪核心区；在所述核心区的所述沟槽内形成导电层，且所述导电层的顶面低于所述核心区的所述沟槽顶部开口；形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充满所述核心区的所述沟槽，所述第一绝缘层位于所述导电层的上表面；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层填充满所述伪核心区的所述沟槽。本发明实施例提供的半导体结构及其形成方法，有利于提高半导体结构的性能。
主权项：1.一种动态随机存储器的形成方法，所述动态随机存储器包括相邻的阵列区和外围区，所述阵列区包括核心区以及伪核心区，所述伪核心区与所述外围区相邻接，且所述伪核心区位于所述核心区与所述外围区之间，其特征在于，包括：提供基底以及位于所述基底上表面的介质层；图形化所述介质层以及所述基底，以形成多个沟槽，多个所述沟槽相互分立的位于所述核心区以及所述伪核心区；在所述核心区的所述沟槽内形成导电层，且所述导电层的顶面低于所述核心区的所述沟槽顶部开口；形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充满所述核心区的所述沟槽，所述第一绝缘层位于所述导电层的上表面；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层填充满所述伪核心区的所述沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
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