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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2018-06-20
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299257A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅介质材料层和位于所述栅介质材料层表面的栅极材料层；对所述栅极材料层进行第一离子掺杂，所述第一离子掺杂采用的第一掺杂离子能够提高P型掺杂离子在所述栅极材料层内的分凝系数；对所述栅极材料层进行第二离子掺杂，所述第二离子掺杂采用的第二掺杂离子为P型掺杂离子。上述半导体结构及其形成方法能够避免栅极耗尽，提高半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；以及位于所述衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；其中，所述栅极内掺杂有第一掺杂离子和不同于所述第一掺杂离子的第二掺杂离子，所述栅极内的第一掺杂离子分布浓度均匀；或者，所述第一掺杂离子的浓度沿所述栅极的厚度阶梯分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其形成方法
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皖公网安备 34010402703815号