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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118259557A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种晶圆表面损伤的监控方法，包括：在对目标光刻工艺进行监控时，通过光刻设备获取监控晶圆的基准测量数据，该监控晶圆是用于对光刻设备的状态进行监控的晶圆，该基准测量数据用于反映监控晶圆的表面平整状态；根据监控晶圆的基准测量数据判断监控晶圆的表面是否超出规格；当确定监控晶圆的表面超出规格时，使用新的监控晶圆替换监控晶圆对目标光刻工艺进行监控，或，使用该监控晶圆监控工艺要求低于目标光刻工艺的其他工艺。本申请通过在对目标光刻工艺进行监控时，通过获取监控晶圆的基准测量数判断监控晶圆的表面是否超出规格，从而实现了实时获悉监控晶圆的状态，在一定程度上提高了生产效率。
主权项：1.一种晶圆表面损伤的监控方法，其特征在于，包括：在对目标光刻工艺进行监控时，通过光刻设备获取监控晶圆的基准测量数据，所述监控晶圆是用于对所述光刻设备的状态进行监控的晶圆，所述基准测量数据用于反映所述监控晶圆的表面平整状态；根据所述监控晶圆的基准测量数据判断所述监控晶圆的表面是否超出规格；当确定所述监控晶圆的表面超出规格时，使用新的监控晶圆替换所述监控晶圆对所述目标光刻工艺进行监控，或，使用所述监控晶圆监控工艺要求低于所述目标光刻工艺的其他工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆表面损伤的监控方法
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