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申请/专利权人：安集微电子科技(上海)股份有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118256151A
主分类号：C09G1/02
分类号：C09G1/02;H01L21/3105;H01L21/311
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，包括非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂和研磨颗粒。本发明中的化学机械抛光液，可用于阻挡层抛光、TSV‑阻挡层抛光以及FinFET工艺中需去除二氧化硅基材的多种应用，在获得高的二氧化硅去除速率的同时可调节不同二氧化硅材料的去除速率选择比且不受抛光时间的干扰，能够满足各种工艺条件下对介质材料去除速率的要求，具有广阔的市场前景。
主权项：1.一种化学机械抛光液，其特征在于，包括非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂和研磨颗粒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安集微电子科技(上海)股份有限公司 一种化学机械抛光液及其用途
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