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一种砷化镓超宽带双刀双掷开关 

申请/专利权人:兰州大学

申请日:2024-03-26

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118264232A

主分类号:H03K17/00

分类号:H03K17/00;H03K17/06;H03K17/51

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明涉及一种砷化镓超宽带双刀双掷开关,工作范围为1GHz~17GHz,包括接收端RX、发射端TX、天线端ANT1、天线端ANT2、输入电感、输出电感、4条支路和连接各个器件的微带线;4条支路的元件和结构相同,每个支路包括:串联连接的第一砷化镓pHEMT和第二砷化镓pHEMT,与第一砷化镓pHEMT并联连接的第三砷化镓pHEMT,与第三砷化镓pHEMT串接的接地隔直电容C0,以及2个控制电压信号端。本发明的双刀双掷开关插入损耗小于2.15dB;隔离状态下,隔离度大于22.08dB;具有导通状态下插入损耗小、工作频段宽的特点。此外,本发明的双刀双掷开关可以与WiFi‑FEM或雷达系统中的低噪声放大器、功率放大器、天线等模块单片集成,可以进一步减小整个系统的体积与功耗,并提高系统的可靠性。

主权项:1.一种砷化镓超宽带双刀双掷开关,其特征在于,所述双刀双掷开关的工作范围为1GHz~17GHz,具体包括接收端RX、发射端TX、天线端ANT1、天线端ANT2、输入电感、输出电感、4条支路和连接各个器件的微带线;所述4条支路的元件和结构相同,每个所述支路包括:串联连接的第一砷化镓pHEMT和第二砷化镓pHEMT,与第一砷化镓pHEMT并联连接的第三砷化镓pHEMT,与所述第三砷化镓pHEMT串接的接地隔直电容C0,以及2个控制电压信号端;所述第一砷化镓pHEMT和第二砷化镓pHEMT共用一个控制电压信号端,所述第三砷化镓pHEMT支路单独使用一个控制电压信号端;每个所述支路的第一砷化镓pHEMT或第二砷化镓pHEMT与其邻近的另外两个支路的第一砷化镓pHEMT或第二砷化镓pHEMT连接形成4个节点,所述4个节点分别经至少1个输入电感或至少1个输出电感连接至所述接收端RX、发射端TX、天线端ANT1和天线端ANT2。

全文数据:

权利要求:

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