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申请/专利权人：南京工业大学;南京工大膜应用技术研究所有限公司
申请日：2024-04-11
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255592A
主分类号：C04B35/577
分类号：C04B35/577;C04B35/622;C04B35/64;C04B38/00;C04B41/87;B01D71/02;B01D69/12;B01D67/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种碳化硅陶瓷支撑体与膜层的两步共烧制备方法。首先，在碳化硅支撑体生坯表面涂覆小粒径碳化硅膜层，通过调控喷涂时间和喷涂距离以控制膜厚和减少其膜层缺陷。然后，采用两步烧结工艺进行膜层与支撑体的一次共烧，制备了性能优异的碳化硅陶瓷微滤膜。本发明相比分步烧结法缩短了一半的保温时间，极大地减少碳化硅膜的制备能耗，对陶瓷膜的低成本制备提供了一种新途径。
主权项：1.一种碳化硅陶瓷支撑体与膜层的两步共烧制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将碳化硅粉体与NaA分子筛烧结助剂粉体按比例均匀混合，并加入一定比例的聚乙烯醇（PVA）和水混合均匀，在8MPa下压制成碳化硅片状或条状生坯，并干燥成型；（2）将碳化硅粉体分散于含有聚甲基丙烯酸铵和甲基纤维素的溶液中充分搅拌，通过滴加氨水调节涂膜液pH=9~10，再滴加消泡剂TL-56NQ低速搅拌20min，涂膜前将溶液进行真空除泡，防止溶液中气泡过多造成膜层缺陷；（3）将步骤（2）得到的涂膜液涂覆于步骤（1）制备的碳化硅支撑体生坯表面，所制备碳化硅非对称生坯膜放置于烘箱中干燥；（4）将非对称生坯膜放置于马弗炉中烧结，通过两步共烧结工艺进行制备，最后随炉冷却至室温，得到所制备的非对称纯碳化硅陶瓷膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京工业大学;南京工大膜应用技术研究所有限公司 一种碳化硅陶瓷支撑体与膜层的两步共烧制备方法
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