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申请/专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118259551A
主分类号：G03F7/16
分类号：G03F7/16;H01L21/027
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种高粘度光阻渐变recipe构架对膜厚控制方法，属于集成电路制造行业光刻工艺技术领域。本发明采用特定recipe构架解决了高粘度感光高分子材料在短时间无法融合问题，从而解决了高粘度感光高分子材料在涂覆时，由于液体浪涌效应作用导致的，高分子膜呈现浪涌固化的问题。本发明适用于60cp及以上粘度光刻胶，其计算转换方便，调整控制度高，对人员经验要求低。
主权项：1.一种高粘度光阻渐变recipe构架对膜厚控制方法，其特征在于：该方法具体包括如下步骤：A晶圆置于承片台上旋转时涂布光刻胶稀释剂RRC；B晶圆置于承片台上旋转时涂布高分子材料光刻胶；C晶圆置于承片台上旋转时成膜厚度调整。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种高粘度光阻渐变recipe构架对膜厚控制方法
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