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申请/专利权人：北京特思迪半导体设备有限公司
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118260508A
主分类号：G06F17/10
分类号：G06F17/10;G06F18/22
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种晶圆磨削场景中近表面层介质的参数确定方法及设备，所述方法包括：获取晶圆表面具有第一类层和第二类层状态下的实测光谱，其中所述晶圆包括晶圆基底和晶圆薄膜，所述晶圆基底和所述晶圆薄膜的参数是预先测量的已知参数，所述第二类层位于所述第一类层和所述晶圆薄膜之间；利用具有第一类层和第二类层参数的光谱计算模型，生成不同给定第二类层的参数下的理论光谱；根据所述理论光谱和所述实测光谱确定所述第二类层的参数范围。
主权项：1.一种晶圆磨削场景中近表面层介质的参数确定方法，其特征在于，包括：获取晶圆表面具有第一类层和第二类层状态下的实测光谱，其中所述晶圆包括晶圆基底和晶圆薄膜，所述晶圆基底和所述晶圆薄膜的参数是预先测量的已知参数，所述第二类层位于所述第一类层和所述晶圆薄膜之间；利用具有第一类层和第二类层参数的光谱计算模型，生成不同给定第二类层的参数下的理论光谱；根据所述理论光谱和所述实测光谱确定所述第二类层的参数范围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京特思迪半导体设备有限公司 晶圆磨削场景中近表面层介质的参数确定方法及设备
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