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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日：2023-05-08
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266031A
主分类号：G11C16/14
分类号：G11C16/14;G11C16/10;G11C16/08;G11C16/04
优先权：["20220603 US 17/832,441"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：为了在非易失性存储器系统中实现紧密且均匀的擦除的阈值电压分布，该非易失性存储器系统包括布置在具有多个子块的块中的非易失性存储器单元，并且具有使用栅极感应漏极泄漏GIDL来生成改变这些存储器单元的阈值电压的电荷载流子的擦除过程，针对这些子块单独调整该GIDL的该幅值。
主权项：1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：多个非易失性存储器单元，所述多个非易失性存储器单元布置在块中，所述块包括多个子块和连接到所述块的多个子块的存储器单元的多个字线；以及控制电路，所述控制电路连接到所述非易失性存储器单元，所述控制电路被配置为使用栅极感应漏极泄漏GIDL擦除所述块以生成改变所述存储器单元的阈值电压的电荷载流子，所述控制电路被配置为针对多个子块单独调整GIDL的幅值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 具有擦除过程调谐的非易失性存储器
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