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申请/专利权人：武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司
申请日：2022-05-17
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN116618821B
主分类号：B23K26/00
分类号：B23K26/00;H01L31/0216;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2023.09.08#实质审查的生效;2023.08.22#公开
摘要：本申请提供一种利用激光束对膜改性及实现图形化的方法及其应用，包括采用激光束照射硅衬底表面的膜层，对其进行图形化改性处理，使其加工区与非加工区形成腐蚀速率差。对硅衬底表面改性后的膜层进行腐蚀处理，激光加工区域因膜层改性，腐蚀速率会比非加工区域更快，非加工区作为腐蚀的阻挡层，进而形成图形化结构；或，加工区腐蚀速率变慢，加工区作腐蚀阻挡层，进而形成图形化结构。通过激光进行微加工处理，改变膜层的性状，破坏局部晶体点阵，形成更多的缺陷等，使加工区域变为易腐蚀区或难腐区，从而达到腐蚀的效果。
主权项：1.一种利用激光束实现图形化的方法，其特征在于，所述方法包括：S1、采用激光束照射硅衬底表面的膜层，对其进行图形化改性处理；其中，所述硅衬底为太阳能级硅；所述膜层为过程工艺膜层或掩膜层，所述膜层的厚度小于2500nm；所述激光束的能量密度范围为0.01Jcm²~50Jcm²；S2、对硅衬底表面改性后的膜层进行腐蚀处理，形成图形化结构；其中，表面膜层上激光改性区域被选择性腐蚀，非激光改性区域则保留表面膜层，从而形成硅衬底表面膜层的图形化结构；改性后的表面膜层和非激光改性区域的表面膜层，在20℃-85℃温度范围内，OH-浓度范围为10wt%~50wt%的碱性溶液中腐蚀时，改性后的表面膜层的腐蚀速率在0.1nms~5nms范围内，改性后的表面膜层的腐蚀速率与非激光改性区域的表面膜层的腐蚀速率在（5-100）：1的范围内；或，表面膜层上激光改性区域耐蚀性增强，非激光改性区域表面膜层被选择性腐蚀，从而形成硅衬底表面膜层的图形化结构；改性后的表面膜层和非激光改性区域的表面膜层，在20℃-85℃温度范围内，OH-浓度范围为10wt%~50wt%的碱性溶液中腐蚀时，改性后的表面膜层的腐蚀速率在0.1nms~5nms范围内，非激光改性区域的表面膜层腐蚀速率与改性后的表面膜层的腐蚀速率在（5-100）：1的范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司 一种利用激光束对膜改性及实现图形化的方法及其应用
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