申请/专利权人：江南大学

申请日：2023-09-14

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN221240256U

主分类号：H02M3/335

分类号：H02M3/335;H02M1/00;H02M1/44;H02M1/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权

摘要：本实用新型涉及一种三电平控制CLLLC谐振变换器，包括谐振槽左侧与谐振槽右侧；谐振槽左侧包括：直流电源，第一辅助电容，第二辅助电容，包括依次串联的第一MOSFET开关、第二MOSFET开关、第三MOSFET开关与第四MOSFET开关的开关桥臂，钳位保护支路，第五MOSFET开关，第六MOSFET开关，励磁电感与第一滤波电容；谐振槽右侧包括：输出电容，输出电阻，滤波电感，第二滤波电容，第七MOSFET开关，第八MOSFET开关，第九MOSFET开关与第十MOSFET开关。本实用新型将辅助电容、三电平控制以及全桥谐振变换器结构相结合；利用辅助电容允许能量的双向传输，并能够减轻开关器件的电压应力，延长其寿命；利用全桥谐振变换器结构实现高效的效率转换，减小能量损耗，并控制输出电压或电流的谐波含量，降低对其他电子设备的干扰。

主权项：1.一种三电平控制CLLLC谐振变换器，其特征在于，包括：谐振槽左侧，其包括：直流电源；第一辅助电容，其一端连接所述直流电源的正极；第二辅助电容，其一端连接所述第一辅助电容的另一端，其另一端连接所述直流电源的负极；开关桥臂，包括依次串联的第一MOSFET开关、第二MOSFET开关、第三MOSFET开关与第四MOSFET开关；所述第一MOSFET开关的集电极连接所述直流电源的正极，所述第四MOSFET开关的发射极连接所述直流电源的负极；钳位保护支路，其一端连接所述第一MOSFET开关的发射极，其另一端连接所述第四MOSFET开关的集电极，用于对支路电位进行钳位控制；第五MOSFET开关，其集电极连接所述直流电源的正极；第六MOSFET开关，其集电极连接所述第五MOSFET开关的发射极，其集电极连接所述直流电源的负极；励磁电感，其一端连接所述第五MOSFET开关的发射极，其另一端连接所述谐振槽左侧的原边电感的一端；第一滤波电容，其一端连接所述第三MOSFET开关的集电极，其另一端连接所述谐振槽左侧的原边电感的另一端；谐振槽右侧，其包括：输出电容，其两端连接负载两端；输出电阻，并联在所述输出电容的两端；滤波电感，其一端连接谐振槽右侧的副边电感的一端；第二滤波电容，其一端连接谐振槽右侧的副边电感的另一端；第七MOSFET开关，其发射极连接所述滤波电感的另一端，其集电极连接所述输出电容的一端；第八MOSFET开关，其发射极连接所述输出电容的另一端，其集电极连接所述第七MOSFET开关的发射极；第九MOSFET开关，其发射极连接所述第二滤波电容的另一端，其集电极连接所述输出电容的一端；第十MOSFET开关，其发射极连接所述输出电容的另一端，其集电极连接所述第九MOSFET开关的发射极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江南大学 一种三电平控制CLLLC谐振变换器

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