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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2020-07-02
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113889405B
主分类号：H01L21/308
分类号：H01L21/308;H01L21/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2022.01.04#公开
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的处理方法及形成方法，半导体结构的处理方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上设置有特征部，特征部的深宽比大于预设深宽比，特征部顶部设置有掩膜层；对半导体结构进行灰化处理，半导体结构包括半导体基底、特征部以及掩膜层；对半导体结构进行清洗处理；对半导体结构进行干燥处理；去除掩膜层；其中，在干燥处理过程中，至少相邻的一组掩膜层中一掩膜层向相邻掩膜层的方向倾斜，且在干燥处理之后，倾斜的掩膜层与相邻掩膜层的间距小于在干燥处理之前二者的间距。有效的改善了高深宽比结构倾斜的问题，且工艺流程简单、成本低廉。
主权项：1.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上设置有特征部，所述特征部的深宽比大于预设深宽比，所述特征部顶部设置有掩膜层；对半导体结构进行灰化处理，所述半导体结构包括所述半导体基底、所述特征部以及所述掩膜层；对所述半导体结构进行清洗处理；对所述半导体结构进行干燥处理；去除所述掩膜层；其中，在所述干燥处理的过程中，至少相邻的一组掩膜层中一所述掩膜层向相邻所述掩膜层的方向倾斜，且在所述干燥处理之后，倾斜的掩膜层与相邻掩膜层的间距小于在所述干燥处理之前二者的间距；所述去除所述掩膜层，包括：向所述掩膜层提供化学气体，在第三温度下与所述掩膜层发生化学反应；在进行所述化学反应后，在第四温度下对所述掩膜层进行热处理并同时向所述掩膜层提供载气，以蒸发去除所述掩膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的处理方法及形成方法
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